半导体内载荷子特征参数增至7个

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  科技日报北京10月14日电(记者刘霞)半导体是如今你这人 电子时代的基础,但半导体内的电子电荷还有也不秘密有待揭示,这限制了该领域的进一步发展。最近,有另有一一一五个国际科研团队称,让当我们在外理哪几种已延续140年的物理学谜题上取得重大突破。让当我们研制出四种 新技术,可获得更多有关半导体内电子电荷的信息,有望推动半导体领域的进一步发展,使让当我们儿获得更好的光电设备等。

  为了真正理解半导体的物理性质,首先须要了解其内内外部载荷子的基本特性。1879年,美国物理学家埃德温·霍尔发现,磁场会偏转导体内载荷子的运动,偏转量可测为垂直于电荷流的电压(霍尔电压)。有时候,霍尔电压可揭示半导体内载荷子的基本信息:是带负电的电子还是名为“空穴”的带正电的准粒子、载荷子在电场中的移动强度单位“迁移率”(μ)、在半导体内的密度(n)。此后,研究人员意识到可用光进行霍尔效应测量。

  但上述方法 非要提供占多数的载荷子的信息,无法共同提供四种 载荷子(多数和少数)的特性。而对于你这人 涉及光的应用,类式于太阳能电池等,此类信息至关重要。

  据物理学家组织网13日报道,在最新研究中,来自美国IBM及韩国的科学家发现了有另有一一一五个新公式和一项新技术,使让当我们儿能共同获取多数和少数载荷子的信息。

  研究人员称,从传统霍尔测量得出的已知多数载荷子密度结束了英语 ,让当我们须要知道多数和少数载荷子迁移率和密度随光强度单位的变化。该团队将新技术命名为“载荷子分辨图像霍尔”(CRPH)测量。利用已知的光照强度单位,让当我们须要选则载荷子的寿命。自发现霍尔效应以来,你这人 关系已隐藏了140年。

  与传统霍尔测量中仅获得五个参数相比,新技术在每个测试光强度单位下最多可获得7个参数:包括电子和空穴的迁移率;在光下的载荷子密度、重组寿命、电子、空穴和双极性类型的扩散长度。

  研究人员指出,新发现和新技术不不利于加快下一代半导体技术的发展,让当我们儿获得更好的太阳能电池、光电设备以及用于人工智能技术的新材料和设备等。

[ 责编:肖春芳 ]

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